混合级联多电平变流器

总损耗降44.9%

结合SiC MOSFET与Si IGBT的混合拓扑及高低频混合调制，在保障输出性能的同时大幅降低器件损耗，并显著减少器件数量。

Peng, Ren · 涂春鸣 · 侯玉超 · 国琪 · 王鑫

Diangong Jishu Xuebao/Transactions of China Electrotechnical Society 2023

参数信息

总损耗降低比例
44.9 %
器件总数减少比例
>50 %
全桥子模块数减少比例
66.7 %

技术优势

损耗降44.9%

混合拓扑将大部分开关动作集中在SiC MOSFET上，发挥其低开关损耗优势，同时Si IGBT承担低频导通，降低导通损耗。

器件数减半

通过引入一个NPC单元，HCMC的全桥子模块数减少2/3，器件总数比传统CHB减少一半以上，系统复杂度大幅降低。

电容电压稳

提出的交替均压控制策略能够稳定高频子模块电容电压，保障直流侧电压平衡。

应用场景