厘米级MoS₂单晶

Zheng, Biyuan; Wang, Hui; Wang, Yizhe; Weihao, Zheng; Liu, Yong; Wu, Guangcheng; Li, Miaomiao; Wang, Sha; Sun, Xingxia; Zhu, Chenguang; Yang, Xin; Xu, Zheyuan; Zhu, Mengjian; Xiang, Li; Li, Dong; Pan, Anlian

厘米级MoS₂单晶

10分钟快速生长

源限域CVD法突破传统生长速度瓶颈，厘米级单晶薄膜兼具高晶体质量与低缺陷密度，支持高均匀性逻辑电路集成。

Zheng, Biyuan · 王慧 · 王艺哲 · Weihao, Zheng · 刘勇 · Wu, Guangcheng · Li, Miaomiao · 王莎 · Sun, Xingxia · Zhu, Chenguang · 杨欣 · Xu, Zheyuan · Liu Xinfeng · Xiang, Li · 李东 · 潘安练

Research 2026

具体参数

硫空位密度: 8.49 × 10¹² cm⁻²
Average mobility: 0.46 cm² V⁻¹
逻辑电路功耗低于: 0.3 nW

技术优势

10分钟内合成厘米级MoS₂单晶薄膜