WSe2可重构晶体管

近玻尔兹曼极限

在单一器件内通过电容放大与极性栅动态实现n/p型转换，将亚阈值摆幅推向理论极限。

Yi, Jiali · Shuai, Qin · Wu, Guangcheng · 75825177 · Zhu, Chenguang · Sun, Xingxia · Zong, Qijun · Yihan, Liao · 朱小莉 · Fan, Xiulian · Zhang, Zhengwei · Yu, Zhou · Wang, Xiao · 李东 · Anlian, Pan

Advanced Functional Materials 2026

具体参数

亚阈值摆幅

≈60 mV/dec

电压增益

213

噪声容限

0.97

技术优势

逼近理论极限

电容放大增强栅控，使亚阈值摆幅降至≈60 mV/dec，从而大幅降低静态功耗。

单一器件双极性

极性栅动态调节注入势垒，无需更换器件即可实现n型和p型工作，简化互补逻辑集成。

电路性能超越同类

所构建CMOS放大器增益213、噪声容限0.97，超过已报道的二维材料CMOS电路。

应用场景

• 低功耗逻辑器件：亚阈值摆幅近60 mV/dec，静态功耗极低，适合低功耗逻辑。
• 二维材料晶体管：用WSe2实现高性能CMOS，突破二维材料电路瓶颈。
• 低功耗物联网节点：低功耗与高增益利于射频与传感节点，延长电池寿命。