D波段下变频混频器

增益提升结构

采用电磁耦合增益提升拓扑的D波段下变频混频器，在毫米波频段实现高转换增益。

Luo, Xianhu · Weikang, Zhou · Cheng, Xu · 75437717 · Han, Changxuan · Han, Jiangan · Zhang, Liang · 成彬彬 · Deng, Xianjin Jing

Analog Integrated Circuits and Signal Processing 2025

参数信息

峰值转换增益

−3.2 dB

RF 1-dB带宽

106–131 GHz

单边带噪声系数

22.47 dB

LO-to-RF隔离度

43 dB

工作电流

13 mA

芯片面积

990 × 780 μm²

技术优势

增益更高

通过电磁耦合拓扑提升增益，峰值转换增益达−3.2 dB@120GHz。

宽带覆盖

RF 1-dB带宽达106–131 GHz，覆盖多个毫米波频段。

隔离度好

LO-to-RF隔离度超过43 dB，减少本振泄漏干扰。

应用场景

• 毫米波通信接收机：作为D波段接收机前端核心，实现高增益下变频。
• 硅基毫米波集成电路：采用130nm SiGe BiCMOS工艺，可与硅基系统集成。
• 低空飞行器雷达：用于低空飞行器雷达的D波段接收链路，频率覆盖合适。
• 功率半导体应用：低工作电压电流，减少系统功耗。