揭示正负栅开关应力下阈值电压的竞争性漂移机制，强调其对器件稳定性的不可忽视影响。
Yunfeng, Hu · He, Liang · Meng, Dong · Chen, Xinghuan · Shi, Yijun · He, Zhiyuan · Cai, Zongqi · Ni, Yiqiang · Wang, Hongyue · Wang, Zhizhe · Li, Yuan · 陆小力 · 陈原 · Chen, Yiqiang
IEEE Electron Device Letters 2024
在正/负栅开关应力下观察到特有的“M”形阈值电压曲线
降低VGS,OFF时阈值电压增加，归因于电子发射减弱和空穴释放增强
占空比增加时，低VGS,ON处阈值电压正漂移，高VGS,ON处负漂移