非对称混合磁极记忆电机

抗意外退磁

通过非对称排布高、低矫顽力永磁体,该记忆电机在不牺牲效率的前提下显著提升抗意外退磁能力,同时降低磁通调节电流。

Tu, Rui · 阳辉 · Wang, Yixian · 林鹤云 · Shen, Yiming

IEEE Transactions on Industrial Electronics 2024

技术优势

抗意外退磁

通过非对称混合磁极结构和低矫顽力磁体形状优化,即使发生意外退磁,电机仍能维持足够的磁通,保证持续运行。

调磁电流更低

借助非对称磁路,只需较小的电流脉冲即可改变低矫顽力磁体的磁化状态,从而调节气隙磁通。

宽调速范围

通过操纵低矫顽力磁体的磁化状态,可以显著改变磁场分布,实现大于传统方案的气隙磁通调节范围。

应用场景