ITO深硅刻蚀截止层

结构保形优异

该ITO截止层在深硅刻蚀中不被氟离子损伤，显著抑制Foot效应，且可用酸性溶液无伤去除，从而精准保持MEMS结构形状。

Si, Chaowei · 富赢春 · Han, Guowei · Yongmei, Zhao · 宁瑾 · Wei, Zhenyu · 杨富华

Journal of Semiconductors 2023

参数信息

结构厚度

100 μm

特征尺寸

4 μm

器件特征频率偏差

5 %

技术优势

抑制底部foot效应

ITO能吸收用于硅刻蚀的氟离子并减少其反射，从而减少底部过刻蚀，保持结构轮廓。

去除不伤硅结构

ITO的使用和释放去除采用酸性溶液，对硅结构无损伤，牺牲层选择在保持MEMS结构形状方面效果极佳。

刻蚀截止性能优

器件特征频率模拟值与设计值差异小于5%，表明ITO是优秀的深硅刻蚀截止材料。

应用场景

• MEMS惯性器件：用于制备厚硅结构的MEMS惯性器件，如加速度计，直接改善刻蚀保形性。
• 精密加速度计：本方法已用于制备MEMS加速度计，通过抑制foot效应减小频率偏差，提高精度。
• 厚硅微结构加工：ITO截止层可承受深硅刻蚀并保持100 μm厚结构的形状，适用于厚硅微结构加工。
• 3D硅微加工：通过抑制foot效应，ITO截止层有助于实现高保真的3D硅微加工轮廓。