ReRAM多核神经形态芯片

突触密度2万位每平方毫米

将基于ReRAM的神经形态计算推进到多核架构,每核心集成6万突触与480个数字神经元,片上网络结合位字符编码提升核间通信效率,自适应无乘法数字神经元通过寄存器控制支持脉冲神经网络模型切换。

Jiang, Hao · Lu, Jikai · Zhang, Chenggao · Shuangzhu, Tang · An, Junjie · Cheng, Lingli · Lu, Jian · Wei, Jingsong · 周可基 · 张续猛 · Shi, Tuo · 刘琦

IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems 2023

参数信息

突触密度
20K bit/mm²
MNIST识别准确率
97.65 %
单次突触操作能耗
6.6 pJ
神经元数量
480
突触数量
60K

技术优势

突触密度高

在180 nm工艺下每核心实现20K bit/mm²的突触密度,有利于在有限面积内集成更大规模网络。

多核可扩展

采用片上网络和位字符编码策略,提高核间通信效率,支持多核扩展。

神经元可配置

自适应无乘法数字神经元通过寄存器控制即可切换Izhikevich与LIF两种模型,适应不同应用场景。

应用场景