氧掺杂Cu/SiO₂界面

氧杂质调控增强界面粘附

在界面近邻Cu间隙位引入氧杂质，可在保持规则界面结构的同时生成O-Cu-O键合，显著提升Cu/SiO₂界面粘附强度。

Mengdie, Lan · Yan, Gaosheng · 郁汶山 · 申胜平

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

技术优势

粘附能翻倍

在界面近邻Cu间隙位引入O杂质生成O-Cu-O键，可在保持规则界面结构的前提下显著增强界面强度。

失效模式可控

界面氧化会改变拉伸失效位置和剪切滑动模式，从氧化物内部转移到氧化物与Cu之间，有利于失效分析。

应用场景

• 集成电路互连：改善Cu与介质层粘附，降低互连失效风险
• 芯片封装：提升封装中金属/介质界面的机械可靠性
• 金属/氧化物异质界面：通过氧杂质工程调控界面粘附与失效行为