万亿支30毫瓦
基于金属双层壳阵列的超半导体结构，实现近零阈值电压与类SiC/GaN的高击穿场强，使pn结二极管功耗较传统半导体大幅降低。
李志刚 · 王伟科 · 曹丙强 · Wei, Bingqing Mg
Advanced Materials 2023