掩埋硒种子层

缺陷密度降一个数量级

通过掩埋硒种子层钝化界面缺陷并促进垂直取向，VTD法制备的Sb₂Se₃电池实现效率纪录

Zhang, Chuanjun · Ruihao, Jiang · Zheng, Yonghui · Yaozhen, Li · Cai, Zenghua · 马春兰 · Yan, Cheng · 褚君浩 · Tao J.

Advanced Energy Materials 2024

参数信息

缺陷密度 D1

1.2e14 cm⁻³

缺陷密度 D2

2.7e14 cm⁻³

缺陷密度 D3

1.3e15 cm⁻³

认证效率

8.42 %

开路电压

498.3 mV

技术优势

缺陷密度降一个数量级

硒种子层减少硒空位（VSe）和硒位锑反位（SbSe），深能级缺陷密度从约10¹⁵ cm⁻³降至1.2×10¹⁴ cm⁻³。

VTD工艺效率最高

认证效率8.42%，开路电压498.3 mV，为气相传输沉积法制备的Sb₂Se₃电池的最高报道值。

应用场景

• 薄膜太阳能电池：用于制备高效稳定无毒薄膜太阳能电池。
• Sb₂Se₃光伏器件：提供一种新型界面钝化策略，提升Sb₂Se₃器件性能。
• 界面钝化层：作为掩埋种子层，减少界面缺陷，实现双重钝化。
• 光电探测器：利用其高光吸收和垂直传输优势，提高探测器响应度。
• 光电催化：借助钝化层减少复合，提升光电极的载流子分离效率。