厚膜耐受达90 nm
通过同源设计的分子结构，阴极中间层与活性层之间建立了欧姆接触，同时抑制了界面缺陷，实现了接近最佳效率的厚膜容忍度。
YuXing, Wang · Zhong, Yanyi · Zuhao, You · Li, Haotian · Yisui, Feng · 李慧 · Liu, Wenxu · Zhang, Jiangbin · Han, Kai · Yao, Liu
Advanced Materials 2025
得益于两性离子侧链优异的电荷传输能力，即使在90 nm的超厚中间层下，器件仍能保持峰值性能的89%。
SZ1同时降低阴极功函数并提升活性层功函数，形成欧姆接触，显著增强电子提取效率。
SZ1不仅作为中间层，还能额外吸收光，并通过与给体聚合物的空穴/能量转移贡献光电流。
同源设计概念成功推广至非稠环电子受体，证明了该策略的普适性。