Ti-DLC/Au/Si异质结构

暗电流抑制

在Ti-DLC与Si之间引入3 nm金层，形成肖特基结，有效抑制暗电流并提升光电流，使器件在零偏压下即可获得高探测性能。

于乐泳 · 李佩 · 汤林龙 · Zhong, Liang · 冯双龙

Diamond and Related Materials 2024

参数信息

比探测率

1.8 × 10^11 Jones

光暗比

10^5

最优金层厚度

3 nm

Ti-DLC最优厚度

68 nm

技术优势

暗电流被有效抑制

在Ti-DLC与Si之间加入3 nm金层形成肖特基结，阻断漏电通道，使光暗比超过10^5。

零偏压下即可工作

器件在零偏压下即达到最优性能，系统无需外加偏置电路，简化了集成设计。

响应速度进入微秒级

器件响应速度在数十微秒范围，相比此前Ti-DLC探测器显著提升，可满足快速光信号检测需求。

应用场景

• 近红外光电探测器：零偏压高探测率，可集成到近红外检测系统中。
• 光通信：微秒级响应速度，可接收高速光通信信号。
• 生物医学成像：高光暗比可改善近红外成像对比度。
• 环境监测：零偏压工作降低功耗，适合长期环境监测。