缺陷作核，生长更高效
通过等离子体引入缺陷作为成核位点，实现单壁碳纳米管表面六方氮化硼薄膜的高效异质外延生长，为可控合成碳纳米管基衍生物提供新思路。
于长平 · Zhang Lili · 周刚 · Zhang, Feng · Wu, Aiping · 侯鹏翔 · Cheng Hui-Ming · 刘畅
Materials 2023
等离子体引入的缺陷作为成核位点，显著提高h-BN在SWCNT表面的生长效率。
结合对照实验和第一性原理计算，揭示了缺陷诱导外延生长的内在机理。