1H-TaS₂超晶格

单层特性,环境稳定

一种夹在SnS层间的1H-TaS₂范德华超晶格,在块体形态下保留单层电子特性与超导性,同时解决单层材料易氧化与结构无序的问题。

Li, Zejun · Lyu, Pin · Chen, Zhaolong · Dandan, Guan · Shuang, Yu · Zhao, Jinpei · 黄鹏儒 · 周欣 · Qiu, Zhizhan · Fang, Hanyan · Hashimoto, Makoto · Lu, Donghui · Fei, Song · Loh, Kian Ping · 郑毅 · Shen, Zhixun · Novoselov, Konstantin Sergeevich · Lu Jiong

Advanced Materials 2024

具体参数

层保护
1 H-TaS

技术优势

块体超晶格中实现≈3.0 K的Ising超导

层间无关的超导转变温度≈3.0 K,与孤立单层相当