银桥ZnO/Bi2MoO6异质结

90分钟降解超97%

金属-半导体双界面构建S型电荷转移路径，同步抑制电子-空穴复合，大幅提升可见光催化降解效率。

Duo, Xi · Ga, Latai · Liangliang, Bao · Jin, Wang · Hao, Tang · 盛显良 · Yuhui, Zhang · 79450648

Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026

具体参数

RhB降解率
100 %
TCH降解率
97.3 %
RhB降解速率常数提升倍数
16.53
RhB降解速率常数提升倍数
9.65
TCH降解速率常数提升倍数
4.77
TCH降解速率常数提升倍数
2.44

技术优势

电荷分离更有效

Ag桥在ZnO/Bi2MoO6界面形成金属-半导体双界面，作为电子陷阱抑制复合，延长载流子寿命。

可见光降解能力大幅提升

RhB降解速率常数达到纯ZnO的16.53倍、纯Bi2MoO6的9.65倍，TCH也分别提高4.77倍和2.44倍。

循环稳定性好

连续三个降解循环后性能无明显下降，证明催化剂结构稳定，可重复使用。

应用场景