压包IGBT芯片

压力分布关键化

首次发现压力分布是单芯片动态雪崩的关键因素，为提升压接式IGBT关断能力提供新思路。

Tianchen, Li · Wang, Yaohua · Zhang, Yiming · Fan, Jiayu · 李学宝 · 齐磊 · 崔翔

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

参数信息

最大压力差增幅

1.5 times

最大电流密度增幅

21.21 %

技术优势

揭示压力分布关键作用

首次发现压力分布是单芯片动态雪崩的关键因素，解释了压紧力如何影响关断能力。

给出量化规律

压紧力从1 kN增至2.5 kN时，最大压力差增大1.5倍；关断期间最大电流密度增加21.21%。

结论适用于多芯片器件

压力分布效应的结论适用于实际应用中多芯片器件内的单芯片。

提出封装与运行建议

已提出改进压接式IGBT器件关断能力的封装设计和实际操作建议。

应用场景

• 高压大功率变流器：优化压接式IGBT关断能力以提升变流器可靠性。
• 电网用压接式IGBT：通过控制压力分布抑制动态雪崩，保障电网设备稳定关断。
• IGBT模块封装：指导封装压力均匀化设计，提升器件关断能力。
• 功率器件测试：提供压力分布影响动态雪崩的量化评估方法。