大尺寸AlN单晶衬底

加工效率提升75%

利用ICP与CMP协同工艺，在1小时内实现原子级表面质量，替代传统耗时4小时的CMP流程

Yuzhu, Wu · Wang, Guodong · 王守志 · Lihuan, Wang · Wenhao, Cao · Li, Qiubo · Yajun, Zhu · Qingjun, Xu · 徐现刚 · 张磊

Applied Surface Science 2025

具体参数

加工时间

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技术优势

加工效率提升75%

协同使用ICP预处理和CMP，将总加工时间从传统CMP的4小时缩短至1小时，显著加快了大尺寸AlN衬底的制备进程。

均匀去除损伤层

通过优化ICP刻蚀工艺增强各向同性刻蚀，能均匀且快速地横向去除损伤层，避免局部残留对器件性能造成影响。

可直接用于器件制备

加工后表面达到原子级高质量，无需额外表面处理即可直接用于外延生长和器件制备。

应用场景

• 高功率电子器件：提供低损伤、原子级表面的AlN衬底，提升高功率器件的可靠性和散热能力。
• 深紫外光源：高质量AlN衬底可减少深紫外LED中的缺陷密度，提高发光效率。
• 射频器件：原子级表面AlN衬底可降低射频器件的界面损耗，提升高频性能。
• 宽禁带半导体：可靠的大尺寸AlN衬底加工技术，推动宽禁带半导体器件规模应用。