纳米多孔SiC晶片
可调孔径
采用电解等离子体辅助化学刻蚀在SiC晶片表面制备出均匀纳米多孔结构，方法不含氟且环保。
赵永华
Small 2023
参数信息
Pore diameter range
130 nm
最大刻蚀速率
540 nm min⁻¹
最大刻蚀深度
10 µm