Bi2SeO5光电忆阻器

功耗1 fJ级

一种基于Bi2SeO5薄膜的光电忆阻器，实现了超快阻变与极低功耗，可同时用于光电探测和储备池计算。

Zhang, Yinxing · 张卫峰 · 闫小兵

Advanced Materials 2025

参数信息

阻变速度

9.5 ns

突触事件功耗

1.36 fJ

光响应速度

28 ns

数字识别准确率

90.5 %

技术优势

功耗极低

单次突触事件仅消耗1.36 fJ，适合大规模集成。

开关极快

阻变速度约9.5 ns，能快速处理时序信号。

响应迅速

光响应速度约28 ns，适用于高速光探测。

应用场景

• 神经形态计算芯片：以1.36 fJ事件功耗构建低功耗突触阵列。
• 低功耗视觉传感器：28 ns光响应速度适合边缘端高速感算一体。
• 生物视觉系统：用忆阻器实现硬件级储备池计算，代替软件视觉处理。
• 光电探测器：4000次循环内稳定开关，替换传统光探测器。