Ge/S共掺杂SnSe纳米棒

择优取向散射声子

水热法制备的[100]择优取向SnSe纳米棒通过晶格散射实现超低热导率,结合能带工程同时获得高电性能,为多晶SnSe在宽温域废热回收提供了无毒且可规模化的路径。

Gong, Yaru · Pan, Ying · Zhang, Qingtang · Yuqi, Liu · Xinqi, Huang · Wei, Dou · Yujing, Zhang · 李地 · 张德伟 · Feng, Tao · 王美玉 · 陈光 · 唐国栋

Energy and Environmental Sciences 2024

具体参数

峰值热电优值ZT
{'zh': '2.4', 'en': '2.4'}
平均热电优值ZT
{'zh': '0.9', 'en': '0.9'}
晶格热导率
{'zh': '0.15', 'en': '0.15'} W m<sup>−1</sup> K<sup>−1</sup>
功率因子
{'zh': '5.84', 'en': '5.84'} μW cm<sup>−1</sup> K<sup>−2</sup>

技术优势

ZT提升一个量级

峰值ZT从本征SnSe的约0.05提升至2.4,且平均ZT达0.9,宽温域性能优异。

晶格热导率极低

[100]择优取向的纳米棒增强声子散射,873 K时晶格热导率降至0.15 W m⁻¹ K⁻¹。

电输运同步提升

Ge掺杂引入能带对齐,提高Seebeck系数,功率因子达5.84 μW cm⁻¹ K⁻²。

力学性能优异

晶粒细化使材料具有高硬度和抗压强度,有利于器件加工和长期稳定性。

应用场景