记忆时间长达 4000 秒
采用三层聚电解质凝胶结构，实现双极离子忆阻特性，记忆时间可通过几何尺寸从200秒调节至4000秒，且制造工艺简单，可轻松集成到小型离子电路中用于神经形态计算。
陈云飞 · Yossifon, Gilad
ACS Nano 2024
通过改变器件几何尺寸，记忆时间从200秒连续调节至4000秒，适应不同时间尺度的神经形态任务。
双极结构在介观尺度（10–1000 μm）下显著提高了离子电导开关比，有利于提高信号区分度。
三层聚电解质凝胶可通过逐层沉积制备，设备要求低，且器件易于集成到小型离子电路中。