CoGd薄膜

氢调控拓扑磁畴

一种可通过栅压注入/抽出氢离子可逆调控拓扑自旋结构的非晶铁磁薄膜。

Ren, Xue · Liu, Liang · 崔彬 · 成彬 · Xiangxiang, Zhao · An, Taiyu · Chu, Ruiyue · Mingfang, Zhang · Liu, Weikang · 周广军 · Kuai, Weijie · 胡季帆

Advanced Electronic Materials 2024

参数信息

Dzyaloshinskii–Moriya相互作用增强倍数
4 ×

技术优势

室温可用

论文强调该非晶CoGd薄膜是室温下实现可控拓扑自旋电子学的杰出平台，无需低温冷却即可工作。

可逆擦写

注入氢离子产生拓扑霍尔效应信号，随后抽出氢离子可完全擦除该效应，操作非易失且有效。

栅压驱动

采用固态质子栅控技术，与现有半导体工艺兼容，可直接在器件中通过施加栅压来控制氢迁移和拓扑磁性。

应用场景