多孔钨掺杂V₂O₅薄膜

700 nm处透射调制深达17.74%

热致和电致相变下均展现出显著增强的透射调制深度，相比未掺杂V₂O₅薄膜平均调制幅度由2.74%提升至16.9%，且循环稳定性良好。

Dai, Wenyan · 李毅 · Yuan, Zhen · Lin, Ke · Mei, Jincheng · Zhuang, Jiaqing · Yan, Junyi · Wang, Xingping · Haoting, Zhang · Weiye, He · Chang, Xue

Infrared Physics and Technology 2024

参数信息

透射调制深度

17.74 %

透射调制深度

36.46 %

平均最大透射调制深度

16.9 %

技术优势

调制深度大幅提升

平均透射调制深度从未掺杂V₂O₅的2.74%提高到16.9%，提升超过6倍。

热/电双模调控

热致相变和电致相变均可实现大调制深度，分别达17.74%和36.46%。

循环稳定性好

反复温度循环后仍保持良好电学和光学性能，有利于长期使用。

应用场景

• 电致变色器件：提供大调制深度和双模调控，有望提升电致变色器件的光学对比度。
• 智能窗：热/电双模调控可实现智能窗对红外波段的动态调光。
• 光电器件：优异的电学和光学性能使其可集成到光电器件中作为调制层。
• 红外调制器件：700–1500 nm波段平均调制深度16.9%，适用于红外调制器件。