N/S共掺杂NASICON正极

激活多电子高容量

通过引入N/S共掺杂碳层并构筑C–S–V键,成功激活V⁴⁺/V⁵⁺可逆氧化还原,实现多电子反应。

Haohang, Fan · Hualing, Tian · 蔡燕军 · Zhang, Yanhui · Kong, Qingrong · Che, Yuanyuan · Jiayao, Zhu · Zhang, Yang · 王英波 · Yao, Xiang · 素质

Journal of Materials Chemistry A 2026

具体参数

比容量 (0.1C)
{'zh': '113.8', 'en': '113.8'} mAh g⁻¹
比容量 (30C)
{'zh': '80.8', 'en': '80.8'} mAh g⁻¹
容量保持率
{'zh': '73.5', 'en': '73.5'} %

技术优势

容量大幅提升

N/S共掺杂激活了V⁴⁺/V⁵⁺氧化还原对,引入多电子反应,使比容量从典型的低值提升至113.8 mAh g⁻¹。

超高倍率下容量保持

倍率升高至30C时,仍能放出80.8 mAh g⁻¹,表明该材料在快充场景中具有竞争力。

长循环稳定性好

对称全电池在5C下循环1000次后容量保持率为73.5%,显示共掺杂策略有效稳定了结构。

应用场景