4-ABPA分子桥

双位点锚定降缺陷

同时锚定电荷传输层与钙钛矿晶格，调控结晶、降低界面缺陷并优化能级排列。

Zhou, Zezhu · Yang, Ruixia · 王佳伟 · Li, Ruijie · 刘红 · 吴聪聪 · 杨栋

Advanced Materials 2026

具体参数

电压损失

{'zh': '31', 'en': '31'} mV

功率转换效率（n-i-p）

{'zh': '25.56', 'en': '25.56'} %

功率转换效率（p-i-n）

{'zh': '26.45', 'en': '26.45'} %

连续运行保持率

{'zh': '83.91', 'en': '83.91'} %

环境储存保持率

{'zh': '91.59', 'en': '91.59'} %

技术优势

缺陷被抑制

4-ABPA双位点化学键合调控结晶并释放残余应力，从源头减少界面缺陷。

电压损失极低

优化能级排列使电压损失降至31 mV，接近理论极限。

稳定性强

改性器件在1440 h连续运行后保持83.91%初始性能，2600 h环境储存后保持91.59%。

工艺通用

该界面工程方法同时适用于n-i-p和p-i-n结构，无需大幅调整制备工艺。

应用场景

• 钙钛矿太阳能电池：用4-ABPA修饰埋入界面，降低电压损失并提高效率。
• 光伏组件制造：该界面调控策略可推广到规模化生产，提升组件效率与稳定性。
• 固态电池界面工程：类似的分子桥策略可借鉴用于固态电池界面缺陷抑制。