大面积二维MoO3介电材料

毫米级单晶高κ

这种毫米级单晶MoO3能在范德华集成中提供高介电常数和低漏电，解决了传统沉积介质与二维材料界面损伤的问题。

Hu, Zhenliang · Zhao, Bei · 符强 · Huiyan, Guan · 刘晓智 · 杨彤 · Feng, Zijie · Xiaoya, Liu · Weiqiao, Xia · Xudong, Sun · Zhang, Zucheng · Wang, Yang · Chen, Yinzhu · Yang, Yutian · Shaopeng, Feng · Tang, Xiao · 张勇 · Xinlei, Zhang · Li, Taotao · Li, Zejun · 刘衍朋 · Yang, Ming · Luo, Yue · Wu, Jing · 刘虹位 · 倪振华 · 刘渊 · Lü, Junpeng

Nature Communications 2026

具体参数

介电常数
18.5
栅极漏电流密度
10-2 A cm-2
击穿场强
26.75 MV cm-1
亚阈值摆幅
71 mV dec-1
开关电流比
108

技术优势

单晶尺寸够大

MoO3单晶达到毫米级，便于器件集成和规模化应用。

漏电很低

在3.0 MV cm⁻¹场强下，栅极漏电流仅约10⁻² A cm⁻²。

击穿场强高

击穿场强约26.75 MV cm⁻¹，能够承受高工作电压。

应用场景