GaN纳米线阵列

紫外响应近6倍

无掩模电化学蚀刻制备的直立GaN纳米线，使紫外探测器在零偏压下光电流提升5.6倍，响应快速。

Chuhao, Cai · Pengfei, Yu · 陈云 · 75612581 · Junjie, Zhang · Li, Ma · 侯茂祥 · 陈新 · 高健 · Wong, Chingping · He, Meihong · Wei, Feng

Advanced Materials Interfaces 2025

参数信息

纳米线直径

20–50 nm

纳米线长度

1–3 µm

刻蚀速率

110 nm min⁻¹

净光电流提升倍数

5.6 ×

响应度

10.53 mA W⁻¹

技术优势

无需掩模

利用无电极光电化学刻蚀，直接在GaN表面形成纳米线阵列，省去掩模制备步骤，简化工艺。

刻蚀速率高

优化工艺参数后，刻蚀速率达到110 nm/min，有助于缩短制备周期。

紫外响应增强

基于纳米线阵列的紫外探测器在零偏压下净光电流是未刻蚀器件的5.6倍，响应度达10.53 mA/W。

应用场景

• 紫外探测：用于高性能紫外光电探测器，灵敏度比平面器件高数倍。
• 光电传感：作为光敏层增强光电转换，适用于各种光电传感应用。
• 微纳光电器件：提供高深宽比纳米结构，用于构建微型化光电器件。
• 半导体工艺：无掩模、快速刻蚀工艺，可简化半导体加工流程。
• 宽禁带半导体：基于GaN材料，适用于宽禁带半导体光电器件领域。