硅单晶纳米划痕修复

退火恢复完美晶格

在原子尺度揭示硅中纳米划痕缺陷的热演化规律，退火可使非晶层外延再结晶并消除堆垛层错，为硅器件表面缺陷消除提供新途径。

李正 · 章亮炽

Journal of Materials Research and Technology 2024

参数信息

再结晶起始温度
500 °C
完全再结晶温度范围
700–800 °C
堆垛层错消失温度阈值
600 °C

技术优势

非晶层可再结晶

加热至约500 °C时，非晶相在晶态-非晶界面处以邻近晶面为模板外延生长，恢复金刚石结构。

层错高温可消除

在600 °C以上退火时，堆垛层错逐渐消失，表明热场可动态消除划痕诱导的晶体缺陷。

应用场景