快充高稳定
掺入Al–O键调控局部电子结构，抑制锰的姜-泰勒畸变和不利相变，在提升钠离子扩散动力学的同时大幅改善循环稳定性。
76004584 · 罗绍华 · Zhaozhan, Shi · Rui, Huang · Shengxun, Yan · Qian, Lixiong
Journal of Energy Chemistry 2026
Al–O键的引入改变了过渡金属层的局部电子结构，减轻了Mn³⁺引起的MnO₆八面体畸变，从而稳定了晶体结构。
通过钉扎效应和增强的层内静电键合，钠离子脱嵌过程中的不利相变被有效抑制，保证了结构可逆性。
增大的Na层间距和改善的电子结构提高了Na⁺的扩散动力学，使材料在高倍率下仍能有效工作。
使用价格低廉的Al作为掺杂元素，不依赖钴、镍等昂贵金属，保持了Fe/Mn基材料的经济性。