揭示电磁脉冲失效机理
针对高功率电磁脉冲注入下的GaN功率放大器，系统揭示了其性能退化与失效机制，为加固设计提供依据。
Wang, Lei · 柴常春 · 赵天龙 · Feng, Wei · Weishen, Liu · Yutian, Wang · Li, Zhao · Le, Xu · Li, Fuxing · 杨银堂
IEEE Transactions on Power Electronics 2023
通过表面电路显微观察和退化电学特性对比，确认GaN HEMT是功率放大器中最易损的部件。
数值模拟与解剖实验表明，失效机制是栅极下方近源区高脉冲电压引起的碰撞电离，随后形成热电反馈直至栅金属熔化。
通过步进脉冲注入实验测定了功率放大器的性能退化和失效阈值，为防护设计提供量化依据。