高温退火SiO₂薄膜

热导率近翻倍

经高温退火配位转变，SiO₂薄膜原子结构更有序、晶粒更致密，声子散射减少，热导率显著提升。

Mingyang, Kong · Liu, Zhichun · 王海刚 · Dezhi, Xu · Hanbin, Wang · Zhipeng, Zhao · 黄正兴 · 梁军生

Journal of Materials Science 2024

参数信息

热导率

2.66 W m⁻¹ K⁻¹

技术优势

热导率近翻倍

高温退火诱导配位转变，原子结构更有序、晶界更致密，减少声子散射，使热导率提升至2.66 W m⁻¹ K⁻¹。

声子散射减少

配位转变促使晶粒结晶和缺陷修复，增加声子平均自由程，从而降低散射。

机理明确

实验与非平衡分子动力学模拟相结合，证实热导率提升源于高温退火过程中的配位转变。

应用场景

• 热管理材料：直接用退火SiO₂薄膜替代传统低热导材料，提升整体散热能力。
• 芯片散热：作为芯片近结导热层，将热点热量快速传导至散热结构。
• 微电子器件：集成到微电子器件中，降低局部温度，保证器件稳定工作。
• 功率器件散热：用于功率器件散热界面，缓解高功率密度下的热积累。