阻尼矩效率提升51%
通过界面Rashba效应增强自旋流，实现室温低功耗磁化翻转。
Liu, Weikang · Xinyi, Wu · Bin, Cui · Liu, Liang · Xiangxiang, Zhao · Xu, Zhang · Zhang, Zhiyu · Hehe, Ding · 成彬 · 周广军 · 胡季帆
Communications Physics 2025
全氧化物异质结构由LaAlO3衬底、SrRuO3铁磁层和SrIrO3非磁层构成，NiO隧道层本身也是氧化物，避免使用Pt、Ta等贵金属。
与对照样品相比，2 nm NiO插层使阻尼类自旋轨道矩效率相对提高51%，归因于界面Rashba效应增强自旋流。
器件在室温下实现自旋轨道矩诱导的磁化翻转，无需低温或加热，简化器件工作条件。