双牺牲剂α-FAPbI₃薄膜

纯α相稳定不衰

通过可降解添加剂诱导(111)取向生长,并在退火中自行消失,得到带隙不变、应变缓释的本征α相FAPbI₃,器件效率高且运行稳定。

Lin, Xuesong · Su, Hongzhen · 沈向前 · 覃珍珍 · Chen, Mengjiong · 张子阳 · 王言博 · 韩礼元

Advanced Materials 2025

具体参数

带隙
{'zh': '1.49', 'en': '1.49'} eV
功率转换效率(0.09 cm²)
{'zh': '25.2', 'en': '25.2'} %
功率转换效率(1.04 cm²)
{'zh': '24.2', 'en': '24.2'} %
认证效率(1.04 cm²)
{'zh': '23.51', 'en': '23.51'} %
最大功率点运行后效率保持率
{'zh': '91.68', 'en': '91.68'} %

技术优势

带隙不掉

牺牲添加剂在退火中通过氨解反应完全消失,没有残留改变钙钛矿组成,FAPbI₃的本征带隙1.49 eV原样保留,不会因相稳定剂引入而偏移。

应变缓释

由于FA⁺阳离子的倾斜,黑相FAPbI₃薄膜中的拉伸应变得到缓解,这帮助α相在室温下稳定,减少缺陷和降解通道。

放大仍高效

用这套工艺做的器件在1.04 cm²面积上拿到认证23.51%的效率,开路电压损失小,说明薄膜均匀性和相纯度足以支撑大面积组件。

应用场景