纯α相稳定不衰
通过可降解添加剂诱导(111)取向生长，并在退火中自行消失，得到带隙不变、应变缓释的本征α相FAPbI₃，器件效率高且运行稳定。
Lin, Xuesong · Su, Hongzhen · 沈向前 · 覃珍珍 · Chen, Mengjiong · 张子阳 · 王言博 · 韩礼元
Advanced Materials 2025
牺牲添加剂在退火中通过氨解反应完全消失，没有残留改变钙钛矿组成，FAPbI₃的本征带隙1.49 eV原样保留，不会因相稳定剂引入而偏移。
由于FA⁺阳离子的倾斜，黑相FAPbI₃薄膜中的拉伸应变得到缓解，这帮助α相在室温下稳定，减少缺陷和降解通道。
用这套工艺做的器件在1.04 cm²面积上拿到认证23.51%的效率，开路电压损失小，说明薄膜均匀性和相纯度足以支撑大面积组件。