ZnO/HfSn2N4异质结

高光响应峰值

一种范德瓦耳斯异质结，直接带隙1.36 eV，高吸收系数与载流子迁移率，拉伸应变下可调谐能带排列

沈洋 · Zhao, Xiaoyu · 崔真 · Qin, Ke · Ma, Deming · Cheng, Fengjiao · Yuan, Pei · 李恩玲

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

具体参数

直接带隙
{'zh': '1.36', 'en': '1.36'} eV
载流子迁移率
{'zh': '2.51', 'en': '2.51'} 103 cm2 V-1 s-1
光电流峰值
{'zh': '4.93', 'en': '4.93'} a02/photon
消光比峰值
{'zh': '75.1', 'en': '75.1'}

技术优势

光电流输出高

量子输运模拟显示光电流峰值达4.93 a₀²/photon，远高于常规异质结。

开关比突出

消光比峰值达75.1，确保探测器在明暗条件下具有优异的信号区分能力。

载流子迁移率高

迁移率达2.51×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹，有利于快速响应。

带隙可调

双轴应变可显著调控能带结构，从II型转为I型异质结。

应用场景