嵌入式栅极FinFET

灵敏度提升3倍

通过介质调制嵌入式栅极扩大生物分子捕获面积,实现无标记检测的灵敏度与信噪比同步提升。

贾护军 · 74942746 · 74942745 · Linna, Zhao · Qiyu, Su · 74942747 · 曹震 · 杨银堂

Micro and Nanostructures 2024

参数信息

阈值电压灵敏度
0.43 V
电流开关比灵敏度
2.22×10⁶
亚阈值摆幅灵敏度
0.75

技术优势

捕获面积更大

将空腔设置在嵌入式栅极下方,增大了生物分子与传感表面的接触区域。

灵敏度更高

与FinFET相比,电流开关比灵敏度提高约27倍,阈值电压灵敏度提高约34%。

抗噪声更好

线性度评估表明EGGAA-FinFET比FinFET具有更优的抗噪声能力。

应用场景