Ag掺杂CZTSSe吸收层

效率12.12%

Ag掺杂结合InCdS缓冲层协同提升CZTSSe电池效率至12.12%，未镀抗反射层条件下实现缺陷钝化与串联电阻降低。

Ma, Ding · Mengge, Li · 姚斌 · 李永峰 · 丁战辉 · Luan, Hongmei · 朱成军 · Jiayong, Zhang · Wang, Chunkai

Chemical Engineering Journal 2025

具体参数

转换效率
{'zh': '12.12', 'en': '12.12'} %

技术优势

效率显著提升

采用退火In0.01Cd0.99S缓冲层后，Ag掺杂CZTSSe电池效率提升至12.12%，较传统结构提高约1.9个百分点。

无需抗反射层

在未镀抗反射层的情况下即可获得12.12%的效率，简化了器件结构，降低成本。

应用场景