Si自掺杂多孔炭

比电容提升49%

保留煤中硅原素，无需氢氟酸处理，形成CSiO₃自掺杂多孔炭，显著提升超级电容器电极双电层电容。

Xiao, Yi · Dong, Duo · 王家伟 · Jianing, Liu · 汪涛 · 张永生

Chemical Engineering Journal 2024

参数信息

比电容

318.3 F/g

硅掺杂量

4.92 %

最佳活化温度

650 °C

技术优势

省去氢氟酸

保留煤中硅，避免了使用氢氟酸的经济和环境负担。

电容更高

CSiO₃掺杂增强电解质离子吸附和量子电容，比电容提升49%。

低温活化

最佳活化温度仅650°C，低于常规高温，节能且保持碳无序度。

应用场景

• 超级电容器电极材料：提供的多孔炭可直接用作电极活性材料，不用额外去硅步骤。
• 煤基炭材料：以煤为原料，工艺简单、成本低，适合大规模生产。
• 双电层电容增强：CSiO₃掺杂提高表面电荷局域化和离子吸附，增强双电层电容。