双模式单片集成
同一器件在负偏压下作光电探测器、正偏压下作神经形态传感器,石墨烯增强内建电场,同时提升两种功能。
Min, Zhou · Jiang, Min · Chaoyun, Song · Xu, Kai · Zexin, Yu · 边历峰 · Liubin, Yang · Zhang, Jianya · 陆书龙 · Zhao, Yukun
Communications Materials 2025
负偏压下作为光电探测器,正偏压下作为神经形态传感器,无需分别制备两类器件。
单次突触操作能耗仅3.19×10⁻¹¹ J,适合低功耗边缘计算场景。
利用突触可塑性进行图像处理,准确率超过90%。