C形沟道VCNFETs

Xiao, Zhongrui; Zhu H.L.; Wang, Qijing; Chen, Zhihua; Liu Z.Y.; Zhang, Yongkui; Yan, Zijin; Shi, Yunfei; Zhou, Na; Li, Junjie; Gao, Jiangfeng; Ai, Xuezheng; Lu, Shunshun; Huang, Weixing; Xiong, Wenjuan; Kong, Zhenzhen; Xiang J.J.; Zhang, Yuhao; Zhao, Jinlai; Liu, Jinbiao; Lu, Yihong; Bai, Guobin; He, Xiaobin; Du, Anyan; Yang, Hong; Yang, Tengzhi; Wu, Zhenhua; Li, Junfeng; Luo, Jun; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

C形沟道VCNFETs

一种垂直C形沟道纳米片场效应晶体管，沟道厚度和栅长由Si/SiGe外延厚度精确控制，不受光刻限制。

Xiao, Zhongrui · Zhu H.L. · Li Yun · Chen, Zhihua · Liu Z.Y. · 张永奎 · Yan, Zijin · Shi, Yunfei · 周娜 · Li, Junjie · Gao, Jiangfeng · Ai, Xuezheng · Lu, Shunshun · Huang, Weixing · Xiong, Wenjuan · Kong, Zhenzhen · Xiang J.J. · Zhang, Yuhao · Zhao, Jinlai · 刘金彪 · Lu, Yihong · Bai, Guobin · 何晓斌 · 都安彦 · 杨红 · Yang, Tengzhi · Wu, Zhenhua · 李峻峰 · 罗军 · 王文武 · 叶甜春

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

适用于: 10 nm

技术优势

栅长不受光刻限制

栅长和沟道厚度由 Si/SiGe 外延厚度决定，而非光刻和刻蚀，从而获得纳米级工艺控制。

工艺与主流产线兼容

集成流程与主流工业界所用工艺兼容，并易于扩展到垂直堆叠器件。

结构可垂直堆叠

垂直 C 形沟道结构易于垂直堆叠，适合提高集成密度。

应用场景

DRAM 存取晶体管：用作存取晶体管，面向10 nm及以下DRAM。
先进逻辑器件：栅长由外延决定，可突破光刻限制。