Mg掺杂LNMO正极

抑制高压副反应

通过镁离子掺杂稳定晶体结构,在维持高电压平台的同时减缓锰溶出,提升循环稳定性。

Huiyu, Zhang · Liu, Baocheng · 向延鸿 · Tong, Wu · Tongyang, Shen · Jian, Liu · 熊利芝 · Lu, Weihong · 吴贤文 · 李健

Journal of Power Sources 2026

具体参数

工作电压
{'zh': '4.7', 'en': '4.7'} V
容量
{'zh': '147', 'en': '147'} mAh/g
带隙
{'zh': '0.1543', 'en': '0.1543'} eV

技术优势

带隙缩窄近 4 倍

DFT 计算显示,掺 Mg 后带隙由 0.626 eV 降至 0.1543 eV,电子导电性显著改善。

锚定 Mn,抑制溶出

XPS 证实 Mg 掺杂使 Mn 2p3/2 峰向高结合能偏移,表面 Mn 价态升高,减少溶出。

晶格膨胀利扩散

XRD 和 TEM 确认掺杂后晶格膨胀,为 Li⁺ 提供更宽通道,提升倍率性能。

应用场景