P栅GaN HEMT

抗氢中毒

经氢处理后性能劣化，表明该器件在含氢环境中需采取防护措施，凸显抗氢设计的重要性。

He, Zhiyuan · He, Liang · Kun, Jiang · Xiaoyue, Duan · Shi, Yijun · Chen, Xinghuan · 陈原 · Wu, Hualong · Lu, Guoguang · Ni, Yiqiang

Journal of Physics D: Applied Physics 2024

技术优势

漏源电流显著下降

阈值电压负向漂移

关态栅极漏电流增加

亚阈值摆幅劣化