浮电极硅像素探测器

低压高灵敏

采用浮电极结构缩小集电极尺寸，在不牺牲电荷收集效率的前提下显著降低探测器电容与漏电流，为高能物理与成像应用提供更优异的噪声性能。

Tao, Long · Zhao, Jun · Wu, Chaosheng · Xiong, Bo · 李正

AIP Advances 2024

具体参数

像素尺寸

{'zh': '200 × 200', 'en': '200 × 200'} µm²

技术优势

电容更低

浮电极结构缩小集电极面积，直接降低探测器电容，从而减小前端电子学噪声，提升信噪比。

漏电流更小

由于集电极面积减小，漏电流随之降低，有助于降低暗计数率和功耗，特别适合低本底辐射探测。

可按需调控

通过调整浮电极间隙/宽度比和浮环数量，可以在设计阶段优化电场分布和击穿电压，避免额外工艺步骤。

应用场景

• 辐射成像传感器：低电容低漏电流可提升辐射成像的信噪比与动态范围。
• X射线探测系统：降低噪声有助于提高X射线探测的能量分辨率与图像质量。
• 粒子物理实验：低电容低漏电流可减小粒子径迹重建中的电子学噪声。
• 医学成像探测器：噪声性能提升可改善医学成像的对比度与剂量效率。