岛状钙钛矿光电突触晶体管

弱光低电压驵动

利用低温ALD沉积的ZnO填充岛状钙钛矿间隙，同时减少光吸收损耗并实现高效电荷传输，使器件在极低光照下工作。

Jiahui, Liu · Ye, Yuliang · Yang, Zunxian

Materials 2025

参数信息

触发光强

0.035 mW/cm²

漏源电压

1.0 V

栅源电压

0 V

图形化后关态电流

1e-11 A

静态电流

0.02 nA

技术优势

极弱光即可触发

0.035 mW/cm² 的绿光脉冲就能产生突触响应，接近月光水平，无需额外放大电路。

图形化后关态电流直降

对 ZnO 沟道图形化后，关态电流从 ~0.5 nA 骤降至 10⁻¹¹ A，静态电流仅 0.02 nA，接近于零待机。

低压操作，零栅压

漏源电压仅 1.0 V，栅源电压 0 V，即可完成突触功能模拟，与传统晶体管相比功耗大幅降低。

应用场景

• 神经形态视觉传感器：用弱光脉冲直接产生突触响应，无需模数转换。
• 低功耗边缘AI硬件：1.0 V 低电压、0.02 nA 静态电流，适于电池供电的推理芯片。
• 弱光探测：0.035 mW/cm² 极弱光探测能力，接近月光照度。