HDAPbI₄钙钛矿忆阻器

高保真突触模拟

通过调节二维Dion-Jacobson钙钛矿的层间距，实现离子迁移和模拟电导调制，在神经形态计算中达到接近软件的识别精度。

Ji-Hyeon, Lee · Kim, Hee Jin · Yang, Qingyu · Liang, Jian · Jang, Ho Won · Yin, Kuibo · 孙立涛

ACS Nano 2026

具体参数

循环耐久性

{'zh': '100', 'en': '100'} cycles

识别准确率

{'zh': '96.6', 'en': '96.6'} %

技术优势

识别精度逼近软件

基于器件电导特性构建的三层神经网络对MNIST数据集识别准确率达96.6%，与软件基准98.2%仅差1.6个百分点。

层间距可调

通过改变二铵配体的烷基链长，直接调控二维钙钛矿的无机层间距，进而调节离子迁移和阻变行为。

突触可塑性模拟

器件可模拟生物突触功能，包括从短时程到长时程可塑性的转变，为类脑计算提供硬件基础。

应用场景

• 忆阻器：提供可调层间距的阻变材料，用于开发非易失存储器。
• 神经形态计算：实现高精度模拟电导调制，用于构建低功耗神经网络加速器。
• 人工突触：模拟短时程到长时程可塑性，用于构建硬件突触。