SiO₂/PEG包覆CeO₂磁流体

皮米级抛光

通过界面调控协同磁性、摩擦与熵弹性，实现皮米级表面精度，突破磁流变抛光的传统局限。

Wang, Pengxiang · Jiatao, Ning · Rui, Yu · Haozheng, Wang · 彭小强 · Hu, Hao

Journal of Manufacturing Processes 2026

参数信息

表面粗糙度

0.2 nm Ra

表面粗糙度

80 pm

技术优势

磨粒不团聚

SiO₂/PEG包覆CeO₂抑制磨粒团聚，使新型流体的分散稳定性得到改善。

粗糙度低到80pm

在波长1μm–1nm范围内将粗糙度从0.288nm降至80pm，实现皮米级制造。

协同增强机制

通过磁性–摩擦–熵弹性三重协同作用，优化抛光界面接触状态。

应用场景

• 超光滑表面抛光：用这种磁流体替代传统抛光液，实现皮米级表面光洁度，减少后续修整工序。
• 精密光学制造：用于光学元件超精密加工，显著降低中高频粗糙度，提升光学性能。
• 半导体衬底加工：在半导体衬底抛光中获得原子级光滑表面，满足先进制程对平坦度的苛刻要求。
• 磁流变抛光液：直接替换现有磁流变液，无需改动设备即可提升抛光精度和分散稳定性。