SiC/Si混合三电平功率模块

开关快、通态省、成本低

该模块将SiC MOSFET的开关优势与Si IGBT的导通优势结合,以低于全SiC方案的成本实现了相近的工作特性。

Wang, Chao · Jupeng, Pang · 王奎 · Xiangwei, Zhang · 郑泽东 · 李永东

2023

参数信息

SiC MOSFET额定电压
750 V
SiC MOSFET导通电阻
15 mΩ
Si IGBT额定电压
650 V
Si IGBT额定电流
75 A

技术优势

成本低于全SiC

结合SiC MOSFET开关特性与Si IGBT导通特性,使模块工作特性接近全SiC模块但成本更低。

寄生电感可量化

通过分析模块布局建立了电路模型,提取了寄生电感,为系统设计提供依据。

热特性已验证

通过热仿真评估了模块热性能,并通过实验验证了设计。

应用场景