内合金壳层InP量子点

绿光QLED效率纪录

通过梯度内壳层ZnSexS1−x同时钝化界面缺陷并调控能级,实现了高性能纯绿光量子点发光二极管。

于鹏 · 曹盛 · Shan, Yuliang · Bi, Yuhe · Hu, Yaqi · 曾若生 · Zou Bingsuo · Wang, Yunjun · 赵家龙

Light: Science and Applications 2022

具体参数

外量子效率
{'zh': '15.2', 'en': '15.2'} %
半峰宽
{'zh': '35', 'en': '35'} nm
量子产率
{'zh': '97', 'en': '97'} %
电致发光峰
{'zh': '532', 'en': '532'} nm

技术优势

效率破纪录

基于InP/ZnSe0.7S0.3/ZnS量子点的QLED最大外量子效率达15.2%,是InP基纯绿光QLED的几乎最高纪录。

缺陷更少

插入的梯度内壳层ZnSexS1−x平衡晶格失配,减少界面缺陷,无需后处理即可获得高质量量子点。

电荷注入更平衡

内合金壳层调节能级,促进空穴和电子的平衡注入,从而提高器件性能。

发光纯度极高

量子点半峰宽仅约35 nm,电致发光峰532 nm,为纯绿光发射,适合显示应用。

应用场景