驱动电流更灵敏
通过将源漏电极垂直插入U形硅体两侧，显著增大隧穿发生区域面积，实现比主流FinFET更低的亚阈值摆幅与静态功耗。
刘溪 · Wu, Meile · 靳晓诗
PLoS ONE 2023
通过刻蚀U形硅体并将源漏垂直插入两侧，显著增大了源漏接触附近能带间隧穿产生区域的有效面积，从而获得更灵敏的开态电流驱动能力。
与主流FinFET技术相比，该结构实现了更低的亚阈值摆幅，有利于器件在低电压下快速开关。
与主流FinFET相比，该器件具有更低的静态功耗，适用于对能耗敏感的应用。
该结构实现了比主流FinFET更高的Ion-Ioff比，有利于提高逻辑电路的噪声容限和可靠性。