p-GaN栅功率HEMT

栅漏调控阈值稳定性

通过优化栅极漏电流，同时消除了正栅压下的负向阈值漂移并大幅降低关态应力下的正向漂移，无需牺牲栅可靠性。

Favero D. · De Santi, Carlo · Stockman, Arno · Nardo, Arianna · Vanmeerbeek, Piet · Tack, Marnix R. · Meneghesso, Gaudenzio · Zanoni, Enrico · Meneghini, Matteo

Microelectronics Reliability 2023

技术优势

正栅压应力无负漂

适度的栅漏电流可消除正栅压下出现的负向阈值电压不稳定性。

关态应力下正向漂移大幅减小

相同的适度栅漏电流同时大幅降低关态应力下的正向阈值漂移。

不牺牲栅极可靠性

优化后的栅漏电水平在改善阈值稳定性的同时，不会损害栅极可靠性。

应用场景

• GaN功率器件：制备高阈值稳定性的p-GaN栅HEMT功率器件，用于高频高效电源。
• 功率转换系统：通过提高器件长期稳定性来降低系统停机率和维护成本。
• 电动汽车电驱：在车辆复杂工况下保持阈值稳定，避免参数漂移导致性能衰退。